-
Ge падкладка
1.Sb/N легіраваны
2. Без допінгу
3.Паўправаднік
-
Субстрат YAP
1.Выдатныя аптычныя і фізічныя ўласцівасці
-
Субстрат CdTe
1. Высокае энергетычнае раздзяленне
2. Прыкладанне для візуалізацыі і выяўлення
-
Падкладка LiNbO3
1. П'езаэлектрычныя, фотаэлектрычныя і акустааптычныя характарыстыкі
2.Нізкія страты перадачы акустычнай хвалі
3.Нізкая хуткасць распаўсюджвання павярхоўнай акустычнай хвалі
-
Субстрат MgAl2O4
Мікрахвалевыя прылады
-
Падкладка LiTaO3
1. Добрыя электрааптычныя, п'езаэлектрычныя і піраэлектрычныя ўласцівасці
-
Субстрат LSAT
Высокотэмпературныя звышправаднікі
-
Падкладка TeO2
1. Добрае падвойнае праламленне і аптычнае кручэнне
-
Падкладка LiAlO2
1. Нізкая дыэлектрычная пранікальнасць
2. Нізкія страты ў мікрахвалеўцы
3. Высокотэмпературная звышправодная тонкая плёнка
-
Падкладка BaF2
1. Прадукцыйнасць ВК, добрае аптычнае прапусканне
-
Субстрат YVO4
1. Добрая тэмпературная стабільнасць і фізічныя і механічныя ўласцівасці
-
Падкладка LaAlO3
1. Нізкая дыэлектрычная пранікальнасць
2. Нізкія страты ў мікрахвалеўцы
3. Высокотэмпературная звышправодная тонкая плёнка
